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  • image of FET simples, MOSFET>BSS138
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  • Numéro de pièce BSS138
    Classification des produits FET simples, MOSFET
    Description N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFE
    Encapsulation Bande et bobine (TR)
    Quantité 121262
    Prix $0.0300
    Statut ROHS YES
    Spécifications
    PDF(1)
    TAPERDESCRIPTION
    FabricantAnbon Semiconductor
    Série-
    EmballerBande et bobine (TR)
    État du produitACTIVE
    Colis/CaisseTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    Type de montageSurface Mount
    Température de fonctionnement150°C (TJ)
    TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
    Type FETN-Channel
    Courant - Drain continu (Id) à 25°C220mA (Ta)
    Rds activé (Max) @ Id, Vgs3Ohm @ 500mA, 10V
    Dissipation de puissance (maximum)350mW (Ta)
    Vgs(e) (Max) @ Id1.6V @ 250µA
    Package d'appareil du fournisseurSOT-23
    Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
    Vgs (Max)±20V
    Tension drain-source (Vdss)50 V
    Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds27 pF @ 25 V