Spécifications
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| TAPER | DESCRIPTION |
| Fabricant | International Rectifier |
| Série | HEXFET® |
| Emballer | En gros |
| État du produit | ACTIVE |
| Colis/Caisse | TO-220-3 |
| Type de montage | Through Hole |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Type FET | N-Channel |
| Courant - Drain continu (Id) à 25°C | 89A (Tc) |
| Rds activé (Max) @ Id, Vgs | 10mOhm @ 46A, 10V |
| Dissipation de puissance (maximum) | 170W (Tc) |
| Vgs(e) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
| Package d'appareil du fournisseur | TO-220AB |
| Tension drain-source (Vdss) | 55 V |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 98 nC @ 5 V |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 3600 pF @ 25 V |