Spécifications
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| TAPER | DESCRIPTION |
| Fabricant | International Rectifier |
| Série | HEXFET® |
| Emballer | En gros |
| État du produit | ACTIVE |
| Colis/Caisse | TO-220-3 |
| Type de montage | Through Hole |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Type FET | N-Channel |
| Courant - Drain continu (Id) à 25°C | 43A (Tc) |
| Rds activé (Max) @ Id, Vgs | 42mOhm @ 22A, 10V |
| Dissipation de puissance (maximum) | 200W (Tc) |
| Vgs(e) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Package d'appareil du fournisseur | TO-220AB |
| Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Tension drain-source (Vdss) | 150 V |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 200 nC @ 10 V |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 2400 pF @ 25 V |