Spécifications
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| TAPER | DESCRIPTION |
| Fabricant | Anbon Semiconductor |
| Série | - |
| Emballer | En gros |
| État du produit | ACTIVE |
| Colis/Caisse | TO-247-3 |
| Type de montage | Through Hole |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Technologie | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Type FET | N-Channel |
| Courant - Drain continu (Id) à 25°C | 60A (Tc) |
| Rds activé (Max) @ Id, Vgs | 55mOhm @ 40A, 20V |
| Dissipation de puissance (maximum) | 330W (Tc) |
| Vgs(e) (Max) @ Id | 4V @ 10mA |
| Package d'appareil du fournisseur | TO-247-3 |
| Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 20V |
| Vgs (Max) | +25V, -10V |
| Tension drain-source (Vdss) | 1200 V |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 142 nC @ 20 V |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 2946 pF @ 1000 V |