title
  • image of FET simples, MOSFET>AS2312
  • image of FET simples, MOSFET>AS2312
  • Numéro de pièce AS2312
    Classification des produits FET simples, MOSFET
    Description N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFE
    Encapsulation Bande et bobine (TR)
    Quantité 28936
    Prix $0.2700
    Statut ROHS YES
    Spécifications
    PDF(1)
    TAPERDESCRIPTION
    FabricantAnbon Semiconductor
    Série-
    EmballerBande et bobine (TR)
    État du produitACTIVE
    Colis/CaisseTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    Type de montageSurface Mount
    Température de fonctionnement150°C (TJ)
    TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
    Type FETN-Channel
    Courant - Drain continu (Id) à 25°C6.8A (Ta)
    Rds activé (Max) @ Id, Vgs18mOhm @ 6.8A, 4.5V
    Dissipation de puissance (maximum)1.2W (Ta)
    Vgs(e) (Max) @ Id1V @ 250µA
    Package d'appareil du fournisseurSOT-23
    Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)1.8V, 4.5V
    Vgs (Max)±10V
    Tension drain-source (Vdss)20 V
    Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs11.05 nC @ 4.5 V
    Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds888 pF @ 10 V