Spécifications
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| TAPER | DESCRIPTION |
| Fabricant | Anbon Semiconductor |
| Série | - |
| Emballer | Bande et bobine (TR) |
| État du produit | ACTIVE |
| Colis/Caisse | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Type de montage | Surface Mount |
| Température de fonctionnement | 150°C (TJ) |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Type FET | N-Channel |
| Courant - Drain continu (Id) à 25°C | 3A (Ta) |
| Rds activé (Max) @ Id, Vgs | 55mOhm @ 3A, 4.5V |
| Dissipation de puissance (maximum) | 700mW (Ta) |
| Vgs(e) (Max) @ Id | 1.25V @ 250µA |
| Package d'appareil du fournisseur | SOT-23 |
| Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
| Vgs (Max) | ±10V |
| Tension drain-source (Vdss) | 20 V |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 3.81 nC @ 4.5 V |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 220 pF @ 10 V |