Spécifications
| TAPER | DESCRIPTION |
| Fabricant | Alpha and Omega Semiconductor, Inc. |
| Série | aMOS5™ |
| Emballer | Tube |
| État du produit | ACTIVE |
| Colis/Caisse | 4-PowerTSFN |
| Type de montage | Surface Mount |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Type FET | N-Channel |
| Courant - Drain continu (Id) à 25°C | 4.9A (Ta), 28A (Tc) |
| Rds activé (Max) @ Id, Vgs | 140mOhm @ 14A, 10V |
| Dissipation de puissance (maximum) | 8.3W (Ta), 312W (Tc) |
| Vgs(e) (Max) @ Id | 4.5V @ 250µA |
| Package d'appareil du fournisseur | 4-DFN (8x8) |
| Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Tension drain-source (Vdss) | 600 V |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 44 nC @ 10 V |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 2995 pF @ 100 V |