Spécifications
PDF(1)
| TAPER | DESCRIPTION |
| Fabricant | Alpha and Omega Semiconductor, Inc. |
| Série | - |
| Emballer | Bande et bobine (TR) |
| État du produit | ACTIVE |
| Colis/Caisse | 8-WDFN Exposed Pad |
| Type de montage | Surface Mount |
| Configuration | 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Puissance - Max | 2.5W (Ta), 23W (Tc) |
| Tension drain-source (Vdss) | 30V |
| Courant - Drain continu (Id) à 25°C | 13.8A (Ta), 18A (Tc) |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 700pF @ 15V |
| Rds activé (Max) @ Id, Vgs | 8.5mOhm @ 20A, 10V |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 20nC @ 10V |
| Vgs(e) (Max) @ Id | 2.1V @ 250µA |
| Package d'appareil du fournisseur | 8-DFN-EP (3x3) |