title
  • image of Matrices FET, MOSFET>ALD110908SAL
  • image of Matrices FET, MOSFET>ALD110908SAL
  • Numéro de pièce ALD110908SAL
    Classification des produits Matrices FET, MOSFET
    Description MOSFET 2N-CH 10.6V 8SOIC
    Encapsulation Tube
    Quantité 6500
    Prix $4.3900
    Statut ROHS YES
    Spécifications
    PDF(1)
    PDF(2)
    TAPERDESCRIPTION
    FabricantAdvanced Linear Devices, Inc.
    SérieEPAD®
    EmballerTube
    État du produitACTIVE
    Colis/Caisse8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
    Type de montageSurface Mount
    Configuration2 N-Channel (Dual) Matched Pair
    Température de fonctionnement0°C ~ 70°C (TJ)
    TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
    Puissance - Max500mW
    Tension drain-source (Vdss)10.6V
    Courant - Drain continu (Id) à 25°C12mA, 3mA
    Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds2.5pF @ 5V
    Rds activé (Max) @ Id, Vgs500Ohm @ 4.8V
    Vgs(e) (Max) @ Id820mV @ 1µA
    Package d'appareil du fournisseur8-SOIC